Transceptor óptico HQSFPDD-2L2 LAN WDM DFB, PIN, 0~70 ℃, 200G QSFP-DD LR4

Breve descripción:


Detalle del producto

Etiquetas de producto

Características

● Factor de forma QSFP-DD MSA conectable en caliente
● Admite velocidades de bits agregadas de 212,5 Gb/s
● Disipación de potencia < 10W
● Rango de temperatura de la caja comercial de 0°C a 70°C
● Fuente de alimentación única de 3,3 V
● Longitud máxima del enlace de 10 km en fibra monomodo (SMF)
● Transmisor: Refrigerado 4 canales 200G PAM4 LAN WDM DML TOSA
● Receptor: 4 canales 200G PAM4 PIN ROSA
● Interfaz eléctrica 200GAUI-8 (o 200GAUI-4)
● Receptáculos LC dúplex
● Interfaz de gestión I2C con DOM

200G1

Aplicaciones

● Ethernet IEEE 802.3bs 200GBASE-LR4(PAM4

Descripción General

200G de Hola-OptelQSFP-DDEl módulo transceptor está diseñado para su uso en interfaces Ethernet de 200G a través de fibra monomodo. Cumple tanto con elQSFP-DDEspecificación MSA y 200GBASE-LR4. Las longitudes de onda centrales de los 4 canales LAN WDM son 1295,56, 1300,05, 1304,58 y 1309,14 nm como miembros de la cuadrícula de longitudes de onda LAN WDM definida en IEEE 802.3ba. Los transmisores LAN WDM DML TOSA y los receptores PIN-PD refrigerados de alto rendimiento brindan un rendimiento superior para aplicaciones Ethernet 200G con enlaces de hasta 10 km con FEC. Las funciones de diagnóstico digital están disponibles a través delI2Cinterfaz, según lo especificado porQSFP-DDMSA. Este producto está diseñado para admitir aplicaciones de centros de datos.

Información de pedido

Número de pieza Descripción
HQSFPDD-2L2 QSFP-DD200GBASE-LR4 LWDM 10 kilómetros

Especificaciones generales:

Parámetro

Símbolo

mín.

Típico

máx.

Unidad

Nota

Tarifa de datos, todos los carriles combinados

DR

 

 

212.50

GB/s

 

Tarifa de datos, cada carril

 

 

26.5625

 

GB/s

 

Precisión de la velocidad de datos

 

-100

 

100

ppm

 

Distancia del enlace

D

 

 

10

km

 

Calificaciones máximas absolutas:

El rendimiento del módulo no está garantizado y la confiabilidad no está implicada en ninguna condición que esté más allá del rango operativo. Exceder los límites siguientes puede dañar permanentemente el módulo transceptor.

Parámetro

Símbolo

mín.

máx.

Unidad

Nota

Temperatura de almacenamiento

TST

-40

+85

˚C

 

Temperatura del caso operativo

TOP

0

+70

˚C

 

Voltaje de la fuente de alimentación

VCC

-0,5

+3.6

V

 

Condiciones de funcionamiento recomendadas:

Parámetro

Símbolo

mín.

Típico

máx.

Unidad

Nota

Temperatura del caso operativo

TOP

0

 

+70

˚C

 

Voltaje de la fuente de alimentación

VCC

3.135

3.3

3.465

V

 

Características eléctricas:

Parámetro

Símbolo

mín.

Típico

máx.

Unidad

Nota

Voltaje de la fuente de alimentación

VCC

3.135

3.3

3.465

V

 

Corriente de suministro de energía

ICC

 

 

3

A

 

Consumo de energía

P

 

 

10

W

 

Características del transmisor (Salida del módulo)
Oscilación de entrada de datos diferencial

+/-TX_DAT

20

 

1200

mVpáginas

 

Voltaje de modo común

VCM

-350

 

2850

mV

1

Características del receptor (Entrada del módulo)
Oscilación de salida de datos diferencial

+/-RX_DAT

200

 

900

mVpáginas

 

Voltaje de modo común

VCM

-350

 

2850

mV

1

Ruido de modo común, RMS

VNO

 

 

17,5

mV

 

Nota: 1.Vcmes generado por el host. La especificación incluye los efectos del voltaje de compensación a tierra.

Características ópticas:

Parámetro

Símbolo

mín.

Típico

máx.

Unidad

Nota

Longitud de onda del carril

L0

1294.53

1295.56

1296.59

nm

 

L1

1299.02

1300.05

1301.09

nm

 

L2

1303.54

1304.58

1305.63

nm

 

L3

1308.09

1309.14

1310.19

nm

 
Características del transmisor (por carril)
Tasa de señalización, cada carril 26,5625 GBd PAM4

 

 

26.5625

 

GBD

PAM4

modulación

Relación de supresión de modo lateral

SMSR

30

 

 

dB

 

Potencia de lanzamiento promedio total

PT

 

 

11.3

dBm

 

Potencia de lanzamiento promedio por carril

PAVG

-3.4

 

5.3

dBm

 

Proporción de extinción

ER

3.5

 

 

dB

 

OModulación óptica del úteroAamplitud (OMA exterior), cada carril

POMA

-0,4

 

5.1

dBm

 

Diferencia en la potencia de lanzamiento entre dos lanzas cualesquiera (OMA exterior)

 

 

 

4

dB

 

Potencia de lanzamiento en OMAouter menos TDECQ,cada carril

 

-1,7

 

 

dBm

 

Transmisor y dispersión.cierre de ojos para PAM4(TDECQ) cada carril

TDECQ

 

 

3.2

dB

 

Apagado de inicio promedioTransmisor, cada carril Papagado

 

 

-30

dBm

 

Ruido de intensidad relativa Rin

 

 

-132

dB/HZ

 

Tolerancia a la pérdida de retorno óptico  

 

 

15.6

dB

 

Reflectancia del transmisor  

 

 

-26

dB

 

Características del receptor (por carril)
Tasa de señalización, cada carril

 

 

26.5625

 

GBD

PAM4

modulación

Variación de la tasa de señalización por carril

 

-100

 

+100

ppm

 

Rango de longitud de onda del carril

L0

1294.53

1295.56

1296.59

nm

 

L1

1299.02

1300.05

1301.09

nm

 

L2

1303.54

1304.58

1305.63

nm

 

L3

1308.09

1309.14

1310.19

nm

 

Umbral de daño, cada carril

Rpresa

6.3

 

 

dBm

 

Potencia de recepción promedio, cada carril

rpow

-9.7

 

5.3

dBm

 

Recibir energía (OMAouter), cada carril

ROMA

 

 

5.1

dBm

 

Diferencia en la potencia de recepción entre dos carriles cualesquiera (OMAouter)

 

 

 

4.2

dB

 

Reflectancia del receptor

 

 

 

-26

dB

 

Sensibilidad del receptor (OMAouter), cada carril

SENcada uno

 

 

-7.7

dBm

 

Receptor estresadosensibilidad (OMAouter), cada carril

 

 

 

-5.2

dBm

 

Condiciones de la prueba de sensibilidad del receptor estresado.

Cierre de ojos estresado para PAM4 (SECQ), carril bajo prueba

 

 

 

3.2

dB

 

OMAexterior de cada carril agresor

 

 

 

-1

dBm

 

Diagrama de bloques del transceptor

200G2

Cifra2. Diagrama de bloques del transceptor

Definición y descripción de pines

200G3

Figura 3. Conector compatible con MSA (según QSFP-DD MSA)

Explicación especial sobre la interfaz eléctrica de alta velocidad

La interfaz eléctrica debe cumplir conQSFP-DDEstándar MSA. La interfaz eléctrica

variará según la aplicación, pero la velocidad nominal del carril de señalización es de 26,5625 Gbit/s por carril y

cumplir con 200GAUI-8(o200GAUI-4 )Especificaciones de la interfaz eléctrica.

Tabla 7 Velocidad de datos de señal de alta velocidad admitida por 200 Gb/sQSFP-DD

Estándar

Descripción

Tasa de bits nominal

Unidades

IEEE estándar-802.3bs

Ethernet de 200G

26.5625

Gbps

Especificaciones mecánicas

Este producto es compatible con elQSFP-DDEspecificación para módulos de factor de forma conectables.

200G4

Figura 4. Dimensión mecánica (unidad en mm)

ESD

Este transceptor está especificado como descarga electrostática de umbral ESD de 500 V para clavijas de alta velocidad y descarga electrostática de 2 kV para todas las demás clavijas de entrada eléctrica, probado según JESD22-A114-B (modelo de cuerpo humano). Sin embargo, aún se requieren precauciones ESD normales durante el manejo de este módulo. Este transceptor se envía en un paquete protector ESD. Debe retirarse del paquete y manipularse únicamente en un entorno protegido contra ESD.

Seguridad láser

Este es un producto láser de Clase 1 según EN 60825-1:2014. Este producto cumple con 21 CFR 1040.10 y 1040.11, excepto por las desviaciones conforme al Aviso láser n.° 50, de fecha (24 de junio de 2007).

Precaución: El uso de controles o ajustes o la realización de procedimientos distintos a los aquí especificados puede provocar una exposición peligrosa a la radiación.

Historial de revisiones

Revisión Fecha Descripción
Preliminar 2021/1/20 Hoja de datos preliminar

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